KYOCERA kupfergebundenes Siliziumnitrid-Substrat erzielte 5000 Temperaturzyklen

30. Mai 2005

KYOCERA gab bekannt, dass sein kupfergebundenes Siliziumnitrid-Keramiksubstrat beim Luft/Luft Temperaturzyklen-Test bei einer Bedingung von -60 bis +175°C 5.000 Zyklen ohne Ausfälle erreichte.

Kupfergebundenes Siliziumnitrid-Substrat
Kupfergebundenes Siliziumnitrid-Substrat
Das Basis-Keramiksubstrat ist Kyocera Siliziumnitrid (Si3N4) mit 850 MPa Biegefestigkeit und 5.0 MPam1/2 Bruchwiderstand. Dieses Siliziumnitrid ist im Vergleich zu anderen Keramikmaterialien, zum Beispiel Aluminiumoxid (AI2O3) mit 274 MPa Biegefestigkeit und 3.3 MPam1/2 Bruchwiderstand und Aluminiumnitrid (AIN) mit 400 MPa und 2.7 MPam1/2, viel biegefester und bruchbeständiger. Das Kupfer wird mittels eines Silber-Kupfer-Titan Hartlotes im so genannten Active Metal Bonding (AMB)-Verfahren mit dem Siliziumnitrid-Substrat fest verbunden. Active Metal Bonding verbindet
das Kupfer mechanisch deutlich besser und damit zuverlässiger mit der Keramik als herkömmliche Verfahren zur Kupferbindung ohne Metallisierung, bei denen in der Regel ein Kupferoxid-Verfahren zum Einsatz kommt. Das AMB kupfergebundene Siliziumnitrid-Substrat ist mechanisch viel stärker als herkömmliche kupfergebundene Aluminiumoxid- und Aluminiumnitrid-Substrate. Die Kyocera AMB Siliziumnitrid-Technologie eignet sich als Substratmaterial für den Einsatz in Leistungselektronik-Anwendungen in den Bereichen Automobiltechnik, Luft- und Raumfahrt und anderen anspruchsvollen Bereichen.


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